Es gibt viele verschiedene Konzepte von HBTs, welche sich in der Reihenfolge und der Anzahl der einzelnen verwendeten Schichten unterscheiden.
In der Einleitung wurde darauf verwiesen, daß versucht wurde, einen Algorithmus in den Devicesimulator HETRA zu implementierten.
Ergebnisse: Die durchgeführten Berechnungen dienten als erstes zur Überprüfung des vorgestellten Modellkonzepts zur Kleinsignalanalyse.
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Einleitung
Einleitung: Die Entwicklungen auf dem Gebiet der Festkörperforschung und auf dem Gebiet der Einführung Mikroelektronik stehen in enger Beziehung zueinander.
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Gliederung
Gliederung: Grundbetrachtungen der Modellierungstechniken zur Beschreibung des dynamischen Verhaltens von Halbleiterbauelementen und Kleinsignalanalyse.
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Iterationsalgorithmus
Diese 3(k-2) diskretisierten Grundgleichungen ((5.2.1)-(5.2.3)), wobei k die Anzahl der Gitterpunkte ist, werden mittels eines Iterationsalgorithmus gelöst .
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Zusammenfassung
Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde ein Modellkonzept zur dynamischen Simulation überprüft, verbessert und erprobt.
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Erklärung
erklärung: Hiermit erkläre ich, dass ich die vorliegende Arbeit selbständig und nur unter Verwendung der angegebenen Literatur und Hilfsmittel angefertigt habe.
Wie auch aus der Abbildung 1 zu ersehen ist, besteht die Basis aus einer hochdotierten SiGe- Schicht, während Emitter und Kollektor aus Si- Schichten bestehen.
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Kleinsignalrandbedingungen
Kleinsignalrandbedingungen: Bei der Berechnung des Eingangskurzschlußleitwertes (y11) und der Kurzschlußsteilheit (y21) werden die Kleinsignalpotentiale am Emitter und Kollektor Null gesetzt.