Für besonders schnelle Bauelemente scheinen Halbleitermaterialien, wie GaAs und andere III/V Halbleiter besonders prädestiniert zu sein. Anwendungsgebiete
Autor: Michael
Diplom-Ingenieur
wohnhaft in München
Wie auch aus der Abbildung 1 zu ersehen ist, besteht die Basis aus einer hochdotierten SiGe- Schicht, während Emitter und Kollektor aus Si- Schichten bestehen.
Es gibt viele verschiedene Konzepte von HBTs, welche sich in der Reihenfolge und der Anzahl der einzelnen verwendeten Schichten unterscheiden.
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Einleitung
Einleitung: Die Entwicklungen auf dem Gebiet der Festkörperforschung und auf dem Gebiet der Einführung Mikroelektronik stehen in enger Beziehung zueinander.
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Gliederung
Gliederung: Grundbetrachtungen der Modellierungstechniken zur Beschreibung des dynamischen Verhaltens von Halbleiterbauelementen und Kleinsignalanalyse.
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Thema
Thema: Untersuchung der Strategien zur Erzeugung von Gittern für die zweidimensionale Devicesimulation